[发明专利]用于蚀刻多个堆叠层的化学过程在审
| 申请号： | 201880053811.4 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN111052318A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 沈鹏;占部继一郎;横田二郎;尼古拉斯·戈塞特 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
披露了用于制造3D NAND闪速存储器的方法。该方法包括以下步骤：在硬掩模层上形成硬掩模图案，并且通过使用氢氟碳化物蚀刻气体相对于该硬掩模层选择性地等离子蚀刻这些交替层来使用该硬掩模图案在这些交替层中形成孔，该氢氟碳化物蚀刻气体选自下组，该组由以下各项组成：1,1,1,3,3,3‑六氟丙烷(C |
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| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 堆叠 化学 过程 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
