[发明专利]固态摄像装置、固态摄像装置的制造方法、以及电子设备有效
| 申请号： | 201880053093.0 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN111247637B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 田中俊介;大高俊德;盛一也 | 申请（专利权）人： | 普里露尼库斯新加坡私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N25/77 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 孙芬 |
| 地址： | 新加坡安*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在固态摄像装置10中，浮置扩散层FD配置于第一光电二极管PD1与第二光电二极管PD2之间的分离部(边界部)即像素中央部PXCT，使光射入至第一光电二极管PD1及第二光电二极管PD2的透镜部LNS是以使光学中心OCT处于至少避开像素中央部的位置的方式配置。根据该结构，能够抑制浮置扩散层中的串扰及朝向浮置扩散层的电荷传输的滞后，可取得精度高的相位差信息，进而可提高画质。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 摄像 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
