[发明专利]固态摄像装置、固态摄像装置的制造方法、以及电子设备有效
申请号: | 201880053093.0 | 申请日: | 2018-08-06 |
公开(公告)号: | CN111247637B | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 田中俊介;大高俊德;盛一也 | 申请(专利权)人: | 普里露尼库斯新加坡私人有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N25/77 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 孙芬 |
地址: | 新加坡安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
在固态摄像装置10中,浮置扩散层FD配置于第一光电二极管PD1与第二光电二极管PD2之间的分离部(边界部)即像素中央部PXCT,使光射入至第一光电二极管PD1及第二光电二极管PD2的透镜部LNS是以使光学中心OCT处于至少避开像素中央部的位置的方式配置。根据该结构,能够抑制浮置扩散层中的串扰及朝向浮置扩散层的电荷传输的滞后,可取得精度高的相位差信息,进而可提高画质。
技术领域
本发明涉及一种固态摄像装置、固态摄像装置的制造方法、以及电子设备。
背景技术
互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器已作为使用有光电转换元件的固态摄像装置(图像传感器)而被实际运用,该光电转换元件检测光并产生电荷。
CMOS图像传感器已广泛用作数码相机、摄像机、监控相机、医疗用内窥镜、个人电脑(Personal Computer,PC)、手机等便携终端装置(移动设备)等各种电子设备的一部分。
CMOS图像传感器在每个像素中带有包括光电二极管(光电转换元件)及浮动扩散层(FD:Floating Diffusion,浮置扩散层)的FD放大器,该CMOS图像传感器的主流读取类型为列并联输出型,即,选择像素阵列中的某一行,同时向列(column)方向对这些行进行读取。
而且,在数码相机等摄像装置中,作为用以实现自动焦点调节(自动对焦(AutoFocus,AF))的方式,例如已知有在像素阵列部的像素的一部分配置用以获得自动对焦(AF)的相位差信息的相位差检测像素来进行自动对焦的像面相位差法等相位差检测方式。
在像面相位差法中,例如像素的受光区域的一半由遮光膜遮挡,在利用右半部分接收光的相位差检测像素与利用左半部分接收光的相位差检测像素中检测像面上的相位差(例如参照专利文献1)。
对于该使用遮光膜的像面相位差法,因为灵敏度会因开口率下降而大幅变差,所以通常的用以产生图像的像素成为缺陷像素,该缺陷像素成为导致图像解析度变差等的重要原因。
作为解决所述问题的方法,已知有如下方法:不使用遮光膜,将像素内的光电转换部(光电二极管(PD))一分为二(设置两个光电转换部),基于由一对光电转换部(光电二极管)获得的信号的相位的偏差量来检测相位差(例如参照专利文献2、3)。
该相位差检测方式也被称为光瞳分割方式,对摄像透镜的通过光束进行光瞳分割而形成一对分割像,通过检测其图案偏差(相位偏移量)来检测摄像透镜的散焦量。
在此情况下,相位差检测不易成为缺陷像素,通过将分割后的光电转换部(PD)的信号相加,能够将其用作良好的图像信号。
在专利文献2所公开的固态摄像装置中,配置有包括两个光电转换部的多个像素。在两个光电转换部的一个部分与另一个部分之间的像素中央部配置有浮置扩散层FD,隔着该浮置扩散层FD而并排地配置有两个光电转换部。
在此种光电转换部上,与像素一对一地设置有微透镜。微透镜是以使光学中心位于像素中央部的方式配置。
在专利文献3所公开的固态摄像装置中,也配置有包括两个光电转换部的多个像素。但是,浮置扩散层FD并非配置于两个光电转换部的一个部分与另一个部分之间的像素中央部,而是配置于像素的周缘部。
在此情况下,也与像素一对一地设置微透镜,微透镜是以使光学中心位于像素中央部的方式配置。
现有技术文献
专利文献
[专利文献1]日本专利第5157436号
[专利文献2]日本专利第4027113号
[专利文献3]日本专利第5076528号
发明内容
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的