[发明专利]氧化铝烧结体及其制造方法、以及半导体制造装置用部件有效
| 申请号： | 201880050146.3 | 申请日： | 2018-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111164060B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 卫藤俊一;福尾长延;斋藤精孝 | 申请（专利权）人： | 飞罗得材料技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/117 | 分类号： | C04B35/117;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种氧化铝烧结体，其含有按氧化物换算为0.01～1.0质量％的选自Ta、Nb和V中的一种以上。该氧化铝烧结体还可以进一步含有按氧化物换算为0.01～1.0质量％的Mg。该氧化铝烧结体特别优选氧化铝纯度为99％以上。由此，能够廉价地得到与现有技术相比具有低介电损耗的氧化铝烧结体。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铝 烧结 及其 制造 方法 以及 半导体 装置 部件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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