[发明专利]用于巨型光转换的全硅光电转换器的生产工艺在审
申请号: | 201880049021.9 | 申请日: | 2018-06-04 |
公开(公告)号: | CN110945666A | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 兹比涅夫·库兹尼基 | 申请(专利权)人: | 赛腾高新技术公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0376;H01L31/18;H01L31/20;H01L31/068;H01L31/0747;H01L21/265;H01L31/0384;B82Y40/00 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 陈燕娴 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 根据本发明的生产工艺包括:以嵌入硅晶片的晶格内的混合排列的晶体硅的纳米级转化,用热电子的方式提高光转化为电的效率。通过生产二十个系列的测试设备,已经分别测试和验证了制造巨型光电转换电池所涉及的所有参数,程序和步骤。该技术的一个示例包括制造具有单个收集器结的常规晶体硅光伏电池,并通过非晶化离子注入以及紧接的注入后热处理来完成由此获得的器件。然后,以受控的方式在纳米级上进行特定于巨型光转换的晶体调制,以获得SEGTON和SEG‑MATTER,它们在光学和电子上均具有活性,并且与主转换器进行一次转换。 | ||
搜索关键词: | 用于 巨型 转换 光电 转换器 生产工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的