[发明专利]发光二极管(LED)测试设备和制造方法在审
| 申请号： | 201880048204.9 | 申请日： | 2018-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN110945637A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 弗兰乔斯·J·亨利 | 申请（专利权）人： | 特索罗科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L33/62;G01R31/26;G01R29/08 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 刘彬 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式涉及可用于制造包含发光二极管(LED)结构的产品的功能测试方法。具体地，通过使用场板，经由位移电流耦合装置注入电流来功能地测试LED阵列，该场板包括非常靠近LED阵列放置的电极和绝缘体。然后将受控电压波形施加到场板电极以并行激励LED装置以获得高吞吐量。相机记录由电激发产生的各个光发射，以产生多个LED装置的功能测试。改变电压条件可以不同的电流密度水平激励LED，以在功能上测量外部量子效率和其他重要的装置功能参数。光谱滤波用于改善测量对比度和LED缺陷检测。外部光照射用于激发LED阵列并改善电荷注入光发射的开始和吞吐量。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 led 测试 设备 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
