[发明专利]激光退火装置及激光退火方法在审
| 申请号： | 201880047929.6 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110945627A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 水村通伸 | 申请（专利权）人： | 株式会社V技术 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;G02B3/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 洪秀川 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一方案的激光退火装置具备：光源，其产生激光；复眼透镜，其用于使激光的强度分布均匀；投影掩模，其遮蔽通过了复眼透镜的激光；及投影透镜，其由通过了投影掩模的激光形成向基板的规定的范围照射的激光束，为了抑制干涉条纹通过投影掩模而产生的莫尔条纹，使复眼透镜的排列方向相对于投影掩模的掩模图案的排列方向旋转规定角度地构成，其中，该干涉条纹是激光通过复眼透镜而产生的干涉条纹。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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