[发明专利]自旋轨道矩磁阻随机存取存储器有效
| 申请号： | 201880040353.0 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110753963B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | Y·崔;B·约克;N·史密斯 | 申请（专利权）人： | 闪迪技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C11/14;G11C11/18;G11C11/38;H10B61/00;H10N50/10;H10N52/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 自旋轨道矩磁阻随机存取存储器(SOT MRAM)单元包括：磁隧道结，该磁隧道结包含具有两个双稳磁化方向的自由层、具有固定磁化方向的参考磁性层、以及位于自由层与参考层之间的隧道阻挡层；以及非磁性自旋霍尔效应层。自旋霍尔效应层可包括β相钨层和贵金属非磁性除尘层的交替叠堆。另选地或除此之外，铪层可位于非磁性自旋霍尔效应层与自由层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 轨道 磁阻 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1.一种自旋轨道矩磁阻随机存取存储器(SOT MRAM)单元，包括：/n磁隧道结，所述磁隧道结包括具有两个双稳磁化方向的自由层、具有固定磁化方向的参考磁性层、以及位于所述自由层和所述参考层之间的隧道阻挡层；和非磁性自旋霍尔效应层，所述非磁性自旋霍尔效应层包括β相钨层和贵金属非磁性除尘层的交替叠堆。/n
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