[发明专利]具有带有两个晶体管及一个电容器的存储器单元且具有与参考电压耦合的晶体管的主体区的设备在审
| 申请号： | 201880040047.7 | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110785843A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 卡迈勒·M·考尔道;C·穆利;S·普卢居尔塔;R·N·古普塔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/07 | 分类号： | H01L27/07;H01L27/108 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一些实施例包含一种具有两个晶体管及一个电容器的存储器单元。所述晶体管是第一晶体管及第二晶体管。所述电容器具有与所述第一晶体管的源极/漏极区耦合的第一节点，且具有与所述第二晶体管的源极/漏极区耦合的第二节点。所述存储器单元具有与所述第一晶体管的所述源极/漏极区相邻的第一主体区，且具有与所述第二晶体管的所述源极/漏极区相邻的第二主体区。第一主体连接线将所述存储器单元的所述第一主体区耦合到第一参考电压。第二主体连接线将所述存储器单元的所述第二主体区耦合到第二参考电压。所述第一参考电压及所述第二参考电压可彼此相同或可彼此不同。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 源极/漏极区 存储器单元 参考电压 主体区 电容器 连接线 耦合到 耦合的 | ||
【主权项】：
1.一种设备，其包括：/n存储器单元，其具有两个晶体管及一个电容器；所述两个晶体管是第一晶体管及第二晶体管；所述电容器具有与所述第一晶体管的源极/漏极区耦合的第一节点，且具有与所述第二晶体管的源极/漏极区耦合的第二节点；所述存储器单元具有从所述第一晶体管的所述源极/漏极区垂直偏移的第一主体区，且具有从所述第二晶体管的所述源极/漏极区垂直偏移的第二主体区；/n第一主体连接线，其将所述存储器单元的所述第一主体区耦合到具有第一参考电压的第一导电区；及/n第二主体连接线，其将所述存储器单元的所述第二主体区耦合到具有第二参考电压的第二导电区。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
