[发明专利]制备碳化硅层的方法在审
| 申请号： | 201880038155.0 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN110719900A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 西格蒙德·格罗伊利希-韦伯;鲁迪格·施莱歇-塔佩瑟尔 | 申请（专利权）人： | PSC科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/87 | 分类号： | C04B41/87;H01L21/04;C30B29/36;C04B35/565;C04B35/622;C30B1/02 |
| 代理公司： | 11467 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 | 代理人： | 乔献丽 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种通过含有碳和硅的溶液或分散体生产碳化硅薄层的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 分散体 碳化硅 薄层 生产 | ||
【主权项】：
1. 一种生产碳化硅薄层的方法，其特征在于：/n（a）在第一方法步骤中，将液态的含碳和硅的溶液或分散体、特别是SiC前驱体溶胶，涂覆到衬底上，并且/n（b）在第一方法步骤（a）之后的第二方法步骤中，将含碳和硅的溶液或分散体、特别是SiC前驱体溶胶，转化为碳化硅。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于PSC科技股份有限公司，未经PSC科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880038155.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
