[发明专利]制备碳化硅层的方法

权利要求书

1. 一种生产碳化硅薄层的方法，其特征在于：

（a）在第一方法步骤中，将液态的含碳和硅的溶液或分散体、特别是SiC前驱体溶胶，涂覆到衬底上，并且

（b）在第一方法步骤（a）之后的第二方法步骤中，将含碳和硅的溶液或分散体、特别是SiC前驱体溶胶，转化为碳化硅。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在所述第一方法步骤（a）中，所述含碳和硅的溶液或分散体、特别是所述SiC前驱体溶胶，作为层、特别是作为均质层而被施加到所述衬底上。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：在方法步骤（a）中，通过涂覆方法，特别是通过浸涂、旋涂、喷涂或辊涂，优选通过浸涂、旋涂或喷涂，优选通过浸涂，将含碳和硅的溶液或分散体、特别是SiC前驱体溶胶，涂覆到衬底上。

4.根据前述权利要求任一项所述的方法，其特征在于：在方法步骤（a）中，将所述含碳和硅的溶液或分散体、特别是所述SiC前驱体溶胶，以0.1至1000μm，特别是0.5至500μm，优选0.8至300μm，更优选1至100μm的层厚涂覆到衬底上。

5.根据前述权利要求任一项所述的方法，其特征在于：根据布鲁克菲尔德，在25℃下，所述含碳和硅的溶液或分散体、特别是所述SiC前驱体溶胶的动态粘度为3至500mPas，特别是4至200mPas，优选5至100mPas。

6.根据前述权利要求任一项所述的方法，其特征在于：所述含碳和硅的溶液或分散体、特别是所述SiC前驱体溶胶，包含，

（A）至少一种含硅化合物，

（B）至少一种含碳化合物；和

（C）至少一种溶剂或分散剂。

7.根据前述权利要求任一项所述的方法，其特征在于：所述衬底选自晶体和非晶衬底，特别是非晶衬底。

8.根据前述权利要求任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底的材料选自：碳，特别是石墨；陶瓷材料，特别是碳化硅，二氧化硅，氧化铝；以及金属及其混合物。

9.根据前述权利要求任一项所述的方法，其特征在于：在方法步骤（b）中，将所述含碳和硅的溶液或分散体、特别是所述SiC前驱体溶胶，涂覆到所述衬底上之后，进行热处理，特别是多级热处理。

10. 根据权利要求9所述的方法，其特征在于：在热处理期间，

（i）在第一热处理阶段中，将含碳和硅的溶液或分散体、特别是SiC前驱体溶胶，加热到800至1200℃，特别是900至1100℃，优选950至1050℃，并且

（ii）在第一热处理阶段（i）之后的第二热处理阶段中，将含碳和硅的溶液或分散体、特别是SiC前驱体溶胶，加热到1800℃或更高的温度。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于：在处理阶段（i）中，将所述含碳和硅的溶液或分散体、特别是所述SiC前驱体溶胶，转化为玻璃。

12.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于：在处理阶段（ii）中，所述含碳和硅的溶液或分散体，特别是所述SiC前驱体溶胶，优选在处理阶段（i）中获得的玻璃，被转化为结晶碳化硅。

13. 根据权利要求10至12任一项所述的方法，其特征在于：在处理阶段（i）之后且在进行处理阶段（ii）之前，所述含碳和硅的溶液或分散体，特别是所述SiC 前驱体溶胶，优选在处理阶段（i）中获得的玻璃，被冷却、特别是淬火。

14.根据前述权利要求任一项所述的方法，其特征在于：在热处理之后，特别是方法步骤（b）之后，去除衬底。