[发明专利]碳化硅空间形体及形成球状体的方法有效

专利信息
申请号: 201880035616.9 申请日: 2018-03-28
公开(公告)号: CN111065614B 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 道格拉斯·杜克斯;格伦·桑德格林;安德鲁·R·霍普金斯;伊莎贝尔·伯林汉姆;马克·S·兰德 申请(专利权)人: 帕里杜斯有限公司
主分类号: C04B35/515 分类号: C04B35/515;C04B35/64;C08G77/20
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫
地址: 美国纽约*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 用于球状体生长的SiC起始材料的空间形体。控制SiC球状体的气相沉积生长及提供方向性通量的方法。自单一球状体生长循环增加晶圆的数量、电子部件的数量及可操作性元件的数量的方法。
搜索关键词: 碳化硅 空间 形体 形成 球状 方法
【主权项】:
暂无信息
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