[发明专利]碳化硅空间形体及形成球状体的方法有效
| 申请号： | 201880035616.9 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN111065614B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 道格拉斯·杜克斯;格伦·桑德格林;安德鲁·R·霍普金斯;伊莎贝尔·伯林汉姆;马克·S·兰德 | 申请（专利权）人： | 帕里杜斯有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/515 | 分类号： | C04B35/515;C04B35/64;C08G77/20 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 美国纽约*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 空间 形体 形成 球状 方法 | ||
1.一种在气相沉积过程中作为生长SiC球状体的起始材料的SiC的空间形体，所述空间形体包括：
a.100g至12,000g的SiC颗粒，所述SiC颗粒的粒径为0.1μm至100μm；
b.所述SiC颗粒界定具有结构完整性的空间形体；
c.黏合剂，其中所述黏合剂结合所述SiC颗粒，由此所述空间形体能够在球状体的生长循环期间在放置于气相沉积设备中时维持所述结构完整性；
d.所述空间形体界定空隙；和，
e.所述空间形体具有多孔性，其中所述空间形体具有小于3.0g/cc的表观密度；
其中，所述空隙位于所述空间形体的顶部和/或所述空隙位于所述空间形体的底部；或者
所述空隙界定所述空间形体的顶部中的通道；或者
所述空隙界定延伸穿过所述空间形体的圆柱形通道。
2.如权利要求1所述的空间形体，其中，SiC颗粒的重量为1000g至9000g。
3.如权利要求1所述的空间形体，其中，SiC颗粒的重量为2500g至8000g。
4.如权利要求1所述的空间形体，其中，所述颗粒具有0.1μm至20.0μm的初级D50粒度。
5.如权利要求1所述的空间形体，其中，所述颗粒具有0.5μm至10.0μm、或0.5μm至2.0μm的初级D50粒度。
6.如权利要求1所述的空间形体，其中，所述空间形体的顶部中的通道为成角度的环形通道。
7.如权利要求1所述的空间形体，其中，所述空间形体为圆片。
8.如权利要求1所述的空间形体，其中，所述表观密度小于2.5g/cc。
9.如权利要求1所述的空间形体，其中，所述表观密度为1.5g/cc至2.8g/cc。
10.如权利要求1所述的空间形体，其中，所述SiC颗粒为聚合物衍生的SiC，并且具有至少99.999％的纯度。
11.如权利要求1所述的空间形体，其具有0.5:2的Si:C的摩尔比率。
12.如权利要求1所述的空间形体，其具有2:0.5的Si:C的摩尔比率。
13.如权利要求1所述的空间形体，其中，SiC颗粒的重量为2000g至1000g。
14.如权利要求1所述的空间形体，其中，所述颗粒具有1μm至5μm的初级D50粒度。
15.如权利要求1所述的空间形体，其中，所述颗粒具有0.5μm至3μm的初级D50粒度。
16.如权利要求1所述的空间形体，其中，所述空间形体具有平坦的顶部、平坦的底部和锥形侧面。
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