[发明专利]锗-硅光感测设备II有效
| 申请号： | 201880033744.X | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110663114B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 那允中;郑斯璘;陈书履;刘汉鼎;陈慧文;梁哲夫;吕元复;陈建龙;林崇致;朱冠祯 | 申请（专利权）人： | 奥特逻科公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N25/70;H01L31/10;H04N25/76;G01S17/894 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种光学设备包括：半导体衬底，其由第一材料形成，所述半导体衬底包括第一n掺杂区；以及光电二极管，其由所述半导体衬底支撑，所述光电二极管包括被配置为吸收光子并用所吸收的光子生成光载流子的吸收区，所述吸收区由与所述第一材料不同的第二材料形成并且包括：第一p掺杂区；以及第二n掺杂区，其耦合到所述第一n掺杂区，其中，所述第二n掺杂区的第二掺杂浓度小于或基本上等于所述第一n掺杂区的第一掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 硅光感测 设备 ii | ||
【主权项】：
1.一种光学设备，包括：/n半导体衬底，所述半导体衬底由第一材料形成，所述半导体衬底包括第一n掺杂区；以及/n光电二极管，所述光电二极管由所述半导体衬底支撑，所述光电二极管包括被配置为吸收光子并且从吸收的所述光子生成光载流子的吸收区，所述吸收区由与所述第一材料不同的第二材料形成并且包括：/n第一p掺杂区；以及/n第二n掺杂区，所述第二n掺杂区耦合到所述第一n掺杂区，/n其中，所述第二n掺杂区的第二掺杂浓度小于或基本上等于所述第一n掺杂区的第一掺杂浓度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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