[发明专利]功率放大器的量子阱热感测在审
| 申请号： | 201880033125.0 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN110637373A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 陶耿名;李夏;杨斌 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L29/66;H01L29/737;H01L27/16 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 傅远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种异质结双极性晶体管(HBT)热感测器件，包括作为HBT子集电极和HBT基底之间的层的阱结构。在一个实例中，该HBT子集电极接触HBT热感测器件的发射极、集电极和基极。该HBT热感测器件还包括与量子阱结构电接触的第一侧电极和与量子阱结构电接触的第二侧电极。 | ||
| 搜索关键词： | 热感 量子阱结构 子集电极 侧电极 电接触 异质结双极性晶体管 发射极 集电极 阱结构 基底 | ||
【主权项】：
1.一种异质结双极性晶体管(HBT)热感测器件，包括：/n子集电极，接触HBT有源器件的发射极、集电极和基极；/nHBT基底；/n量子阱结构，在所述HBT有源器件与所述HBT基底之间；/n第一侧电极，与所述量子阱结构电接触；以及/n第二侧电极，与所述量子阱结构电接触。/n
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