[发明专利]稳定的SOI FET的可管理衬底效应在审
| 申请号： | 201880032487.8 | 申请日： | 2018-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110637369A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·马克·恩格尔基尔克;凯特·巴尔格罗夫;克里斯多佛·C·墨菲;泰罗·塔皮奥·兰塔;西蒙·爱德华·威拉德 | 申请（专利权）人： | 派赛公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘雯鑫;杨林森 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 具有富陷阱层的修改的绝缘体上硅(SOI)衬底以及用于进行这样的修改的方法。经修改的区域消除或管理否则将由于下面的富陷阱层和经历状态的瞬态变化的有源层器件的相互作用而会出现的累积电荷，从而消除或减轻这样的累积电荷对制造在这样的衬底上的非RF集成电路的影响。实施方式针对要求高线性度的RF电路例如RF开关保留了具有富陷阱层的SOI衬底的有益特性，同时针对对由于富陷阱层的存在而引起的累积电荷效应敏感的电路例如非RF模拟电路和放大器(包括功率放大器和低噪声放大器)避免了富陷阱层的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 陷阱层 累积电荷 衬底 电路 放大器 低噪声放大器 功率放大器 绝缘体上硅 高线性度 区域消除 瞬态变化 源层 敏感 保留 制造 管理 | ||
【主权项】：
1.一种由绝缘体上硅(SOI)衬底形成的集成电路，所述绝缘体上硅(SOI)衬底具有形成在所述衬底上的至少一个富陷阱区域和至少一个非富陷阱区域的层、形成在所述至少一个富陷阱区域和至少一个非富陷阱区域的层上的绝缘体层以及形成在所述绝缘体层上的有源层，其中，易受累积电荷影响的电路被制造在至少一个非富陷阱区域上方的所述有源层中和/或所述有源层上，所述累积电荷由下面的富陷阱区域和这样的电路的状态的瞬态变化的相互作用引起。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
