[发明专利]加工对象物切断方法在审
| 申请号： | 201880025383.4 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110520969A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 坂本刚志 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B23K26/53;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨琦<国际申请>=PCT/JP2018/ |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 加工对象物切断方法包含：第1步骤，准备加工对象物；第2步骤，在第1步骤之后，通过对加工对象物照射激光，分别沿着多个切断预定线，在加工对象物的单晶硅基板的内部形成至少1列的改质区域，并以跨越至少1列的改质区域与加工对象物的第2主面之间的方式形成龟裂；以及第3步骤，在第2步骤之后，对加工对象物从第2主面侧实施反应性离子蚀刻，由此分别沿着多个切断预定线，形成在第2主面开口的槽。在第3步骤中，在反应性离子蚀刻的实施中，在加工对象物的第2主面及槽的内面形成黑硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 加工对象物 主面 反应性离子蚀刻 切断预定线 改质区域 加工对象物切断 单晶硅基板 黑硅层 龟裂 内面 照射 激光 开口 | ||
【主权项】：
1.一种加工对象物切断方法，其特征在于，/n包含：/n第1步骤，准备具有单晶硅基板以及设置于第1主面侧的功能元件层的加工对象物；/n第2步骤，在所述第1步骤之后，通过对所述加工对象物照射激光，从而分别沿着多个切断预定线，在所述单晶硅基板的内部形成至少1列的改质区域，并分别沿着所述多个切断预定线，在所述加工对象物以跨越所述至少1列的改质区域与所述加工对象物的第2主面之间的方式形成龟裂；以及/n第3步骤，在所述第2步骤之后，对所述加工对象物从所述第2主面侧实施反应性离子蚀刻，由此分别沿着所述多个切断预定线，在所述加工对象物形成在所述第2主面开口的槽，/n在所述第3步骤中，在所述反应性离子蚀刻的实施中，在所述加工对象物的所述第2主面及所述槽的内面形成黑硅层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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