[发明专利]加工对象物切断方法

说明书

加工对象物切断方法包含：第1步骤，准备加工对象物；第2步骤，在第1步骤之后，通过对加工对象物照射激光，分别沿着多个切断预定线，在加工对象物的单晶硅基板的内部形成至少1列的改质区域，并以跨越至少1列的改质区域与加工对象物的第2主面之间的方式形成龟裂；以及第3步骤，在第2步骤之后，对加工对象物从第2主面侧实施反应性离子蚀刻，由此分别沿着多个切断预定线，形成在第2主面开口的槽。在第3步骤中，在反应性离子蚀刻的实施中，在加工对象物的第2主面及槽的内面形成黑硅层。

技术领域

本发明的一个方面涉及加工对象物切断方法。

背景技术

作为涉及目前的加工对象物切断方法的技术，在专利文献1中记载有一种技术，其通过对加工对象物照射激光而沿着切断预定线在加工对象物形成改质区域之后，通过实施蚀刻而沿着改质区域使蚀刻进行。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5197586号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，在近年来的加工对象物切断方法中，有时期望利用反应性离子蚀刻将加工对象物切断。在此情况下，例如为了管理通过切断而得到的半导体芯片的质量，要求控制反应性离子蚀刻的进行。

因此，本发明的一个方面以提供一种能够控制反应性离子蚀刻的进行的加工对象物切断方法为目的。

解决问题的技术手段

本发明的一个方面所涉及的加工对象物切断方法，包含：第1步骤，准备具有单晶硅基板以及设置于第1主面侧的功能元件层的加工对象物；第2步骤，在第1步骤之后，通过对加工对象物照射激光，分别沿着多个切断预定线，在单晶硅基板的内部形成至少1列的改质区域，并分别沿着多个切断预定线，在加工对象物以跨越至少1列的改质区域与加工对象物的第2主面之间的方式形成龟裂；以及第3步骤，在第2步骤之后，对加工对象物从第2主面侧实施反应性离子蚀刻，由此分别沿着多个切断预定线，在加工对象物形成在第2主面开口的槽；在第3步骤中，在反应性离子蚀刻的实施中，在加工对象物的第2主面及槽的内面形成黑硅(black silicon)层。

在该加工对象物切断方法中，对以跨越至少1列的改质区域与加工对象物的第2主面之间的方式形成有龟裂的加工对象物，从第2主面侧实施反应性离子蚀刻。由此，反应性离子蚀刻从第2主面侧沿着龟裂选择性地进行，使开口的宽度窄且深的槽分别沿着多个切断预定线形成。在此，在反应性离子蚀刻的实施中，在加工对象物的第2主面及槽的内面形成黑硅层，由此能够利用该黑硅层使反应性离子蚀刻的进行结束。即，能够控制反应性离子蚀刻的进行。

在本发明的一个方面所涉及的加工对象物切断方法中，在第2步骤中，也可以形成在加工对象物的厚度方向上排列的多列的改质区域，由此分别沿着多个切断预定线形成至少1列的改质区域，并以跨越多列的改质区域中彼此相邻的改质区域之间的方式形成龟裂。由此，能够使反应性离子蚀刻更深地选择性地进行。

在本发明的一个方面所涉及的加工对象物切断方法中，在第2步骤中，也可以形成分别沿着多个切断预定线排列的多个改质光点，由此分别沿着多个切断预定线形成至少1列的改质区域，并以跨越多个改质光点中彼此相邻的改质光点之间的方式形成龟裂。由此，能够使反应性离子蚀刻更为效率良好且选择性地进行。

在本发明的一个方面所涉及的加工对象物切断方法中，在第3步骤中，也可以通过在蚀刻气体中混入氧而形成黑硅层。根据该结构，能够具体实现黑硅层的形成。

在本发明的一个方面所涉及的加工对象物切断方法中，在第3步骤中，也可以在槽为规定深度时在蚀刻气体中混入氧。根据该结构，能够以形成规定深度的槽的方式形成黑硅层而使反应性离子蚀刻的进行结束。