[发明专利]降低非易失性存储器中电荷损失的方法在审
| 申请号： | 201880024751.3 | 申请日： | 2018-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN110506339A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 帕万·辛格;S·谢蒂;J·帕克 | 申请（专利权）人： | 赛普拉斯半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/11563;H01L29/772 |
| 代理公司： | 11262 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张瑞;杨明钊<国际申请>=PCT/US2 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种存储器装置，具有并排设置在衬底上的至少两个非易失性存储器(NVM)单元和在衬底中设置在第一NVM单元和第二NVM单元之间的隔离结构。第一NVM单元和第二NVM单元共享包括连续结构的公共电荷俘获层，并且设置在隔离结构正上方的公共电荷俘获层的部分比设置在第一NVM单元和第二NVM单元内的公共电荷俘获层的部分包括更高的氧和/或氮浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 公共电荷 俘获层 隔离结构 衬底 非易失性存储器 存储器装置 并排设置 连续结构 共享 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，包括并排设置在衬底上的第一非易失性存储器(NVM)单元和第二非易失性存储器单元以及在所述衬底中设置在所述第一NVM单元和所述第二NVM单元之间的隔离结构，其中所述第一NVM单元和所述第二NVM单元共享包括连续结构的公共电荷俘获层，并且其中设置在所述隔离结构正上方的所述公共电荷俘获层的第一部分相比于设置在所述第一NVM单元和所述第二NVM单元内的所述公共电荷俘获层的第二部分包括更高的氧浓度。/n
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