[发明专利]具有经耦合贯穿衬底通路核心的多裸片电感器有效
| 申请号： | 201880024138.1 | 申请日： | 2018-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN110546779B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 凯尔·K·柯比 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其包括第一裸片及第二裸片。所述第一裸片包含至少大体上延伸穿过所述第一裸片的第一贯穿衬底通路TSV及围绕所述第一TSV安置的第一大体上螺旋形导体。所述第二裸片包含耦合到所述第一TSV的第二TSV及围绕所述第二TSV安置的第二大体上螺旋形导体。所述第一大体上螺旋形导体经配置以响应于所述第一大体上螺旋形导体中的第一变化电流而在所述第一TSV及所述第二TSV中诱发磁场的变化，且所述第二大体上螺旋形导体经配置以响应于所述第二TSV中的所述磁场的所述变化而具有诱发于内的第二变化电流。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 耦合 贯穿 衬底 通路 核心 多裸片 电感器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：/n第一裸片，其包含：/n第一贯穿衬底通路TSV，其至少大体上延伸穿过所述第一裸片，及/n第一大体上螺旋形导体，其围绕所述第一TSV安置；及/n第二裸片，其包含：/n第二TSV，其耦合到所述第一TSV，及/n第二大体上螺旋形导体，其围绕所述第二TSV安置。/n
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