[发明专利]具有经耦合贯穿衬底通路核心的多裸片电感器

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

第一裸片，其包含：

第一贯穿衬底通路TSV，其至少延伸穿过所述第一裸片，及

第一大体上螺旋形导体，其围绕所述第一TSV安置；及

第二裸片，其包含：

第二TSV，其耦合到所述第一TSV，及

第二大体上螺旋形导体，其围绕所述第二TSV安置，

其中所述第二TSV通过焊料连接件来耦合到所述第一TSV，且其中所述焊料连接件通过势垒材料来与所述第一TSV及所述第二TSV分离，所述势垒材料经配置以防止焊料扩散到所述第一TSV及所述第二TSV中。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一大体上螺旋形导体经配置以响应于所述第一大体上螺旋形导体中的第一变化电流而在所述第一TSV及所述第二TSV中诱发磁场的变化，且其中所述第二大体上螺旋形导体经配置以响应于所述第二TSV中的所述磁场的所述变化而具有诱发于其内的第二变化电流。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述焊料连接件包括磁性材料。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一TSV及所述第二TSV是同轴对准的。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一TSV及所述第二TSV包括铁磁材料或亚铁磁材料。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一TSV通过绝缘材料来与所述第一大体上螺旋形导体分离，且所述第二TSV通过绝缘材料来与所述第二大体上螺旋形导体分离。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一大体上螺旋形导体包括围绕所述第一TSV的一个以上匝，且所述第二大体上螺旋形导体包括围绕所述第二TSV的一个以上匝。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一大体上螺旋形导体与所述第一TSV同轴对准。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二大体上螺旋形导体与所述第二TSV同轴对准。

10.一种半导体装置，其包括：

第一裸片，其包含：

第一贯穿衬底通路TSV，其至少延伸穿过所述第一裸片，

第二TSV，其至少延伸穿过所述第一裸片，及

第一大体上螺旋形导体，其围绕所述第一TSV及所述第二TSV中的一者安置；

第二裸片，其包含：

第三TSV，其耦合到所述第一TSV，

第四TSV，其耦合到所述第二TSV，及

第二大体上螺旋形导体，其围绕所述第三TSV及所述第四TSV中的一者安置，

其中所述第三TSV通过第一焊料连接件来耦合到所述第一TSV，其中所述第四TSV通过第二焊料连接件来耦合到所述第二TSV，且其中所述第一焊料连接件通过势垒材料来与所述第一TSV及所述第三TSV分离，所述势垒材料经配置以防止焊料扩散到所述第一TSV及所述第三TSV中。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第一大体上螺旋形导体经配置以响应于所述第一大体上螺旋形导体中的第一变化电流而在所述第一TSV、所述第二TSV、所述第三TSV及所述第四TSV中诱发磁场的变化，且其中所述第二大体上螺旋形导体经配置以响应于围绕其安置所述第二大体上螺旋形导体的所述TSV中的所述磁场的所述变化而具有诱发于其内的第二变化电流。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第一TSV、所述第二TSV、所述第三TSV及所述第四TSV包括铁磁材料或亚铁磁材料。

13.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第二TSV通过所述第一大体上螺旋形导体上方的上耦合部件来耦合到所述第一TSV。