[发明专利]固态成像装置在审
| 申请号： | 201880022868.8 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN110546763A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 町田贵志;秋山健太郎;山崎知洋 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 11290 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 乔焱;曹正建<国际申请>=PCT/JP2 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 成像器件包括：位于基板上的一个或多个绝缘层；有效区域，有效区域包括偏振层和至少一个第一光电转换区域，偏振层位于一个或多个绝缘层中且包括使光偏振的一个或多个偏振器，第一光电转换区域位于基板中且将由一个或多个偏振器偏振的入射光转换成电荷；和外围区域，该外围区域位于有效区域的外部且包括一个或多个配线层，一个或多个配线层包括焊盘部，焊盘部位于一个或多个绝缘层中的与偏振层相同的层中。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 有效区域 偏振层 光电转换区域 外围区域 配线层 偏振器 基板 成像器件 电荷 光偏振 焊盘部 入射光 焊盘 偏振 转换 外部 | ||
【主权项】：
1.一种成像器件，其包括：/n位于基板上的一个或多个绝缘层；/n有效区域，所述有效区域包括：/n偏振层，所述偏振层位于所述一个或多个绝缘层中且包括使光偏振的一个或多个偏振器；和/n至少一个第一光电转换区域，所述至少一个第一光电转换区域位于所述基板中且将由所述一个或多个偏振器偏振的入射光转换成电荷；和/n外围区域，所述外围区域位于所述有效区域的外部且包括：/n一个或多个配线层，所述一个或多个配线层包括焊盘部，所述焊盘部位于所述一个或多个绝缘层中的与所述偏振层相同的层中。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
