[发明专利]用于监测功率半导体裸芯的器件和方法有效
| 申请号： | 201880020848.7 | 申请日： | 2018-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN110462386B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | N·德格雷纳;S·莫洛夫;J·万楚克 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G01N21/84 | 分类号： | G01N21/84;G01R31/26;G01R31/265;G01R31/311;G01N21/95;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王小东;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种器件(1)包括涂覆有金属化层(5)的至少一个功率半导体裸芯(3)和具有两个相对端(71；72)的至少一个光导(7)。所述第一端(71)能够至少连接到光源(11)和光接收器(13)。所述第二端(72)被永久固定成面对所述金属化层(5)的表面(51)，从而形成朝向所述表面(51)的光路(91)和源自所述表面(51)的光路(92)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 监测 功率 半导体 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种器件，该器件包括涂覆有金属化层的至少一个功率半导体裸芯和具有两个相对端的至少一个光导，第一端能够至少连接到光源和光接收器，第二端被永久固定成面对所述金属化层的表面，从而形成朝向所述表面的光路和源自所述表面的光路。/n
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