[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置在审

申请号：	201880017781.1	申请日：	2018-03-06
公开（公告）号：	CN110520962A	公开（公告）日：	2019-11-29
发明（设计）人：	保本清治;熊仓佳代;佐藤有香;井户尻悟;安达广树;冈崎健一	申请（专利权）人：	株式会社半导体能源研究所
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786
代理公司：	11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人：	贾成功<国际申请>=PCT/IB2018
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	提供一种包括剥离工序的成品率高的半导体装置的制造方法。本发明的一个方式是一种剥离方法，包括：在衬底上形成第一材料层和第二材料层的叠层的工序；以及使第一材料层与第二材料层分离的工序。第二材料层隔着第一材料层形成在衬底上。第一材料层包括与第二材料层接触的第一化合物层以及位于比第一化合物层更靠近衬底一侧的位置的第二化合物层。第一化合物层是在第一材料层所包括的层中氧含量最多的层。第二化合物层是在第一材料层所包括的层中氮含量最多的层。第二材料层包含树脂。在分离工序中，通过向第一材料层与第二材料层的界面或界面附近照射光，使第一材料层与第二材料层分离。
搜索关键词：	第一材料第二材料层第一化合物衬底第二化合物半导体装置剥离工序分离工序成品率照射光树脂叠层剥离制造
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1.一种半导体装置的制造方法，包括：/n在衬底上形成第一材料层和第二材料层的叠层的工序；以及/n使所述第一材料层与所述第二材料层分离的工序，/n其中，所述第二材料层隔着所述第一材料层形成在所述衬底上，/n所述第一材料层包括与所述第二材料层接触的第一化合物层以及位于比所述第一化合物层更靠近所述衬底一侧的位置的第二化合物层，/n所述第一化合物层是在所述第一材料层所包括的层中氧含量最多的层，/n所述第二化合物层是在所述第一材料层所包括的层中氮含量最多的层，/n所述第二材料层包含树脂，/n并且，在所述分离工序中，通过向所述第一材料层与所述第二材料层的界面或所述界面附近照射光，使所述第一材料层与所述第二材料层分离。/n

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880017781.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置在审

专利文献下载