[发明专利]多工器、高频前端电路以及通信装置有效

专利信息
申请号: 201880016604.1 申请日: 2018-03-08
公开(公告)号: CN110383683B 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 中川亮;岩本英树;高井努 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H03H9/145 分类号: H03H9/145;H03H9/25;H03H9/64;H03H9/72;H04B1/52
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 赵琳琳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种不易产生其他带通型滤波器中的由高阶模式引起的纹波的多工器。具备一端被公共连接的通带不同的N个(其中,N为2以上的整数)弹性波滤波器。至少一个弹性波滤波器(3)具有由欧拉角(的范围内,θLT,ψLT=0°±15°的范围内)的钽酸锂构成的压电体(14)、支承基板(12)、和IDT电极(15)。在多个弹性波谐振器之中的至少一个弹性波谐振器中,第一高阶模式的频率fh1_t(n),在通带比至少一个弹性波滤波器(n)高的所有的弹性波滤波器(m)(n<m≤N)中,满足下述的式(3)或下述的式(4)。fh1_t(n)>fu(m)式(3)fh1_t(n)<fl(m)式(4)
搜索关键词: 多工器 高频 前端 电路 以及 通信 装置
【主权项】:
1.一种多工器,具备一端被公共连接且通带不同的N个弹性波滤波器,其中,N为2以上的整数,所述N个弹性波滤波器之中除了通带处于最高频的弹性波滤波器以外的至少一个弹性波滤波器具有多个弹性波谐振器,该弹性波谐振器具有:压电体,由欧拉角(的范围内,θLT,ψLT=0°±15°的范围内)的钽酸锂构成;支承基板,由欧拉角(θSi,ψSi)的硅构成;氧化硅膜,层叠在所述压电体与所述支承基板之间;和IDT电极,设置在所述压电体的一面,由下述的式(1)以及式(2)决定的第一、第二以及第三高阶模式频率fhs_t(n)之中的至少一个,关于m>n的全部的m,将通过由所述IDT电极的电极指间距规定的波长λ而进行了标准化的厚度设为波长标准化膜厚时,在所述多个弹性波谐振器之中的至少一个弹性波谐振器中,所述压电体的波长标准化厚度TLT、所述压电体的欧拉角的θLT、所述氧化硅膜的波长标准化厚度TS、换算为铝的厚度的所述IDT电极的波长标准化厚度TE、所述支承基板内的传播取向ψSi、以及所述支承基板的波长标准化厚度TSi的值设为满足下述的式(3)以及下述的式(4)的值,其中,s为1、2或3,在s为1、2或3时分别为第一、第二或第三高阶模式,[数学式1][数学式2]fhs_t(n)>fu(m)  式(3)fhs_t(n)<fl(m)  式(4)所述式(1)~式(4)中的h表示是高阶模式,t表示滤波器n中的第t个元件,m表示第m个滤波器,n表示第n个滤波器,fu是通带的高频侧端部的频率,fl是通带的低频侧端部的频率,其中m>n,该元件为谐振器,另外,所述式(1)中的各系数是在s=1、2或3时按照所述支承基板的每个晶体取向而示于下述的表1、表2或表3的各自的值,[表1]【表1】[表2]【表2】[表3]【表3】
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