[发明专利]半导体发光元件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201880016044.X 申请日: 2018-03-26
公开(公告)号: CN110383610A 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 杉山贵浩;泷口优;黑坂刚孝;广瀬和义;野本佳朗;上野山聪 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: H01S5/42 分类号: H01S5/42;H01S5/026;H01S5/18;H01S5/20
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 本实施方式涉及具有能够分别生成所期望的光束投影图案的光的多个发光部的单一的半导体发光元件及其制造方法,该半导体发光元件在共用基板层上形成活性层和相位调制层,至少相位调制层包含沿共用基板层配置的多个相位调制区域,多个相位调制区域通过在相位调制层的制造后在该相位调制层内的多个部位分离而获得,由此获得具备与现有技术相比经过简单的制造工序而正确地定位的多个发光部的半导体发光元件。
搜索关键词: 半导体发光元件 相位调制 相位调制区域 共用基板 发光部 制造 光束投影 制造工序 活性层 配置的 图案 期望
【主权项】:
1.一种半导体发光元件,其特征在于,具有第1面和与所述第1面相对的第2面,所述第1面和所述第2面的一方作为输出光的光出射面而发挥作用,并且另一方作为辅助面而发挥作用,包括:活性层,其位于所述第1面与所述第2面之间;相位调制层,其位于所述第1面与所述第2面之间,包含分别与所述活性层光学结合的多个相位调制区域,所述多个相位调制区域分别包含具有第1折射率的基本区域和分别设置在所述基本区域内并且具有与所述第1折射率不同的第2折射率的多个不同折射率区域;第1包覆层,其相对于至少包含所述活性层和所述相位调制层的层叠结构体而位于配置有所述第1面的一侧;第2包覆层,其相对于所述层叠结构体而配置在所述第2面所位于的一侧;第1面侧电极,其相对于所述第1包覆层而配置在所述第1面所位于的一侧;多个第2面侧电极,其相对于所述第2包覆层而配置在所述第2面所位于的一侧,与所述多个相位调制区域分别对应,且分别配置在沿所述层叠结构体的层叠方向看时与所述多个相位调制区域重叠的多个区域内;和共用基板层,其配置在所述第1包覆层与所述第1面侧电极之间,具有保持所述多个相位调制区域的连续的面,在所述相位调制层所包含的所述多个相位调制区域的各个中,所述多个不同折射率区域按照用于使作为从所述多个第2面侧电极中对应的第2面侧电极供给驱动电流时从所述光出射面输出的光的投影图案的光束投影图案和形成有所述光束投影图案的光束投影区域与目标光束投影图案和目标光束投影区域分别一致的配置图案,配置在所述基本区域中的规定位置,所述配置图案被规定为,在由与所述光出射面的法线方向一致的Z轴和与包含所述多个不同折射率区域的所述相位调制层的一个面一致的、包含相互正交的X轴和Y轴的X‑Y平面规定的XYZ直角坐标系中,在所述X‑Y平面上设定由分别具有正方形状的M1×N1个单位结构区域R构成的假想的正方晶格时,在由X轴方向的坐标成分x和Y轴方向的坐标成分y特定的所述X‑Y平面上的单位结构区域R(x,y)上,位于所述单位结构区域R(x,y)内的不同折射率区域的重心G1与成为所述单位结构区域R(x,y)的中心的晶格点O(x,y)分开距离r、且从所述晶格点O(x,y)向所述重心G1的矢量朝向特定方向,其中,M1为1以上的整数,N1为1以上的整数,x为1以上M1以下的整数,y为1以上N1以下的整数。
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