[发明专利]半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于，

具有第1面和与所述第1面相对的第2面，所述第1面和所述第2面的一方作为输出光的光出射面而发挥作用，并且另一方作为辅助面而发挥作用，

包括：

活性层，其位于所述第1面与所述第2面之间；

相位调制层，其位于所述第1面与所述第2面之间，包含分别与所述活性层光学结合的多个相位调制区域，所述多个相位调制区域分别包含具有第1折射率的基本区域和分别设置在所述基本区域内并且具有与所述第1折射率不同的第2折射率的多个不同折射率区域；

第1包覆层，其相对于至少包含所述活性层和所述相位调制层的层叠结构体而位于配置有所述第1面的一侧；

第2包覆层，其相对于所述层叠结构体而配置在所述第2面所位于的一侧；

第1面侧电极，其相对于所述第1包覆层而配置在所述第1面所位于的一侧；

多个第2面侧电极，其相对于所述第2包覆层而配置在所述第2面所位于的一侧，与所述多个相位调制区域分别对应，且分别配置在沿所述层叠结构体的层叠方向看时与所述多个相位调制区域重叠的多个区域内；和

共用基板层，其配置在所述第1包覆层与所述第1面侧电极之间，具有保持所述多个相位调制区域的连续的面，

在所述相位调制层所包含的所述多个相位调制区域的各个中，所述多个不同折射率区域按照用于使作为从所述多个第2面侧电极中对应的第2面侧电极供给驱动电流时从所述光出射面输出的光的投影图案的光束投影图案和形成有所述光束投影图案的光束投影区域与目标光束投影图案和目标光束投影区域分别一致的配置图案，配置在所述基本区域中的规定位置，

所述配置图案被规定为，

在由与所述光出射面的法线方向一致的Z轴和与包含所述多个不同折射率区域的所述相位调制层的一个面一致的、包含相互正交的X轴和Y轴的X-Y平面规定的XYZ直角坐标系中，在所述X-Y平面上设定由分别具有正方形状的M1×N1个单位结构区域R构成的假想的正方晶格时，

在由X轴方向的坐标成分x和Y轴方向的坐标成分y特定的所述X-Y平面上的单位结构区域R(x，y)上，位于所述单位结构区域R(x，y)内的不同折射率区域的重心G1与成为所述单位结构区域R(x，y)的中心的晶格点O(x，y)分开距离r、且从所述晶格点O(x，y)向所述重心G1的矢量朝向特定方向，

其中，M1为1以上的整数，N1为1以上的整数，x为1以上M1以下的整数，y为1以上N1以下的整数。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

还包括：分离区域，其将所述多个相位调制区域分别电分离，并且将从沿着所述Z轴的方向看时与所述多个相位调制区域重叠的所述活性层、所述第1包覆层和所述第2包覆层各自中的多个对应区域电分离。

3.如权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述分离区域与所述多个相位调制区域一起将所述活性层、所述相位调制层、所述第1包覆层和所述第2包覆层各自中的所述多个对应区域光学分离。

4.如权利要求2或3所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述分离区域在所述多个相位调制区域中相邻的相位调制区域之间的区域上，从所述第2面朝向所述共用基板层延伸，直至到达所述共用基板层为止，

所述分离区域的前端与所述第1面侧电极的距离为所述共用基板层的、沿着所述Z轴的方向的厚度的一半以下。

5.如权利要求2～4中的任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述分离区域为由起因于高强度光照射的电场而改质的半导体层、通过杂质扩散或离子注入法而绝缘化的半导体层和通过干蚀刻或湿蚀刻形成的空气间隙中的任一种。

6.如权利要求1～5中的任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

以所述光束投影区域在从所述第2面侧电极的任一电极供给驱动电流的情况下均相等的方式，确定所述相位调制区域各自中的所述配置图案。