[发明专利]氢活化的原子层蚀刻在审
| 申请号： | 201880010347.0 | 申请日： | 2018-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN110268507A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 张鑫;艾伦·杰森;格拉尔多·德尔加迪诺;丹尼尔·乐 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种相对于结构的SiGe或Si选择性地蚀刻SiO和SiN的方法。提供多个循环的原子层蚀刻，其中每个循环包括氟化聚合物沉积阶段以及活化阶段。氟化聚合物沉积阶段包括：使包含碳氟化合物气体的氟化聚合物沉积气体流入；使所述氟化聚合物沉积气体形成等离子体，从而在所述结构上沉积碳氟聚合物层；以及停止使所述氟化聚合物沉积气体流入。所述活化阶段包括：使包含惰性轰击气体和H2的活化气体流入；使所述活化气体形成等离子体，其中所述惰性轰击气体活化所述氟化聚合物中的氟，其与来自H2的等离子体组分导致相对于SiGe和Si选择性地蚀刻SiO和SiN；以及停止使所述活化气体流入。 | ||
| 搜索关键词： | 氟化聚合物 蚀刻 等离子体 沉积气体 活化气体 沉积阶段 原子层 活化 轰击 沉积碳氟聚合物 碳氟化合物气体 气体活化 氢活化 | ||
【主权项】：
1.一种在等离子体处理室中相对于结构的SiGe或Si选择性地蚀刻SiO和SiN的方法，其包括提供多个循环的原子层蚀刻，其中每个循环包括：氟化聚合物沉积阶段，其包括：使包含碳氟化合物气体的氟化聚合物沉积气体流入所述等离子体处理室；使所述氟化聚合物沉积气体形成等离子体，从而在所述结构上沉积碳氟聚合物层；以及停止使所述氟化聚合物沉积气体流入所述等离子体处理室；以及活化阶段，其包括：使包含惰性轰击气体和或者NH3或者H2的活化气体流入所述等离子体处理室；使所述活化气体形成等离子体，其中所述惰性轰击气体活化所述氟化聚合物中的氟，其与来自H2的所述等离子体组分导致相对于SiGe和Si选择性地蚀刻SiO和SiN；以及停止使所述活化气体流入所述等离子体处理室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
