[发明专利]直接转换化合物半导体切片结构有效
| 申请号： | 201880008982.5 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN110291424B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 阿尔西·斯唐 | 申请（专利权）人： | 芬兰探测技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据实施例，设备包括直接转换化合物半导体层，被构造为将诸如x射线或伽马射线光子之类的高能辐射转换为电流；集成电路(IC)层，紧邻直接转换化合物半导体层(例如位于其正下方)，被构造为接收电流并处理电流；以及基板层，紧邻IC层(例如位于其正下方)，被构造为传导从IC层发射出的热量；其中基板层包括位于基板的截面的角部处的凹形部；以及其中基板层进一步包括位于角部之间的滑动电接触，其中滑动电接触经由基板层而与IC层连接以接收处理后的电流。其他实施例涉及包括根据设备的切片的阵列的检测器，以及包括x射线源和检测器的成像系统。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 转换 化合物 半导体 切片 结构 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包括：直接转换化合物半导体层，被构造为将x射线或伽马射线光子转换成电流；集成电路(IC)层，位于所述直接转换化合物半导体层的正下方，并且被构造为接收所述电流并处理所述电流；以及基板层，位于所述集成电路层的正下方，并且被构造为传导从所述集成电路层发射出的热量；其中所述基板层包括位于所述基板的截面的角部处的凹形部；以及其中所述基板层进一步包括位于所述角部之间的滑动电接触，其中所述滑动电接触经由所述基板层而连接至所述集成电路层，以接收处理后的电流。
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