[发明专利]雪崩光电二极管结构有效
| 申请号： | 201880004525.9 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110088916B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 余国民 | 申请（专利权）人： | 洛克利光子有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/103 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李湘;陈岚 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于锗的雪崩光电二极管装置以及其制造方法。所述装置包括：硅衬底；下部掺杂硅区，所述下部掺杂硅区定位在所述衬底上方；硅倍增区，所述硅倍增区定位在所述下部掺杂硅区上方；中间掺杂硅区，所述中间掺杂硅区定位在所述硅倍增区上方；未掺杂锗吸收区，所述未掺杂锗吸收区定位在所述中间掺杂硅区上方；上部掺杂锗区，所述上部掺杂锗区定位在所述未掺杂锗吸收区上方；以及输入硅波导；其中：所述未掺杂锗吸收区和所述上部掺杂锗区形成耦合到所述输入波导的锗波导，并且所述装置还包括第一电极和第二电极，并且所述第一电极横向地延伸以接触所述下部掺杂硅区，并且所述第二电极横向地延伸以接触所述上部掺杂锗区。 | ||
| 搜索关键词： | 雪崩 光电二极管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种基于锗的雪崩光电二极管装置，所述装置包括：硅衬底；下部掺杂硅区，所述下部掺杂硅区定位在所述硅衬底上方；硅倍增区，所述硅倍增区定位在所述下部掺杂硅区上方；中间掺杂硅区，所述中间掺杂硅区定位在所述硅倍增区上方；未掺杂锗吸收区，所述未掺杂锗吸收区定位在所述中间掺杂硅区上方；上部掺杂锗区，所述上部掺杂锗区定位在所述未掺杂锗吸收区上方；以及输入硅波导；其中：所述未掺杂锗吸收区和所述上部掺杂锗区形成耦合到所述输入硅波导的锗波导，并且所述装置还包括第一电极和第二电极，并且所述第一电极横向地延伸以接触所述下部掺杂硅区，并且所述第二电极横向地延伸以接触所述上部掺杂锗区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于洛克利光子有限公司，未经洛克利光子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880004525.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
