[实用新型]硅片清洗设备有效
申请号: | 201822187148.7 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN209119058U | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 陈海燕 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 苏州携智汇佳专利代理事务所(普通合伙) 32278 | 代理人: | 尹丽 |
地址: | 215011 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种硅片清洗设备,包括用于传送硅片的滚轮、臭氧水槽以及与臭氧水槽连通的臭氧发生器。该硅片清洗设备还包括与臭氧水槽连接的排水管、与臭氧发生器连接的进水管以及设置于排水管与臭氧发生器之间的过滤装置,以形成依次连接臭氧水槽、排水管、过滤装置、臭氧发生器、进水管及臭氧水槽的水流环路。如此设置,保证了通过进水管流入臭氧水槽内的臭氧水为新鲜的高臭氧浓度的臭氧水,加强了后清洗过程中的强氧化作用,加大了硅片的清洗力度,得到的硅片表面污染小,提高了制得的电池的效率。 | ||
搜索关键词: | 臭氧水槽 臭氧发生器 硅片清洗设备 排水管 进水管 过滤装置 臭氧水 硅片 本实用新型 强氧化作用 硅片表面 清洗过程 水流环路 依次连接 高臭氧 滚轮 连通 清洗 传送 电池 新鲜 污染 保证 | ||
【主权项】:
1.一种硅片清洗设备,包括用于传送所述硅片的滚轮、臭氧水槽以及与所述臭氧水槽连通的臭氧发生器,其特征在于:该硅片清洗设备还包括与所述臭氧水槽连接的排水管、与所述臭氧发生器连接的进水管以及设置于所述排水管与所述臭氧发生器之间的过滤装置,以形成依次连接所述臭氧水槽、所述排水管、所述过滤装置、所述臭氧发生器、所述进水管及所述臭氧水槽的水流环路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造