[实用新型]多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池结构有效

专利信息
申请号: 201822090103.8 申请日: 2018-12-13
公开(公告)号: CN209087855U 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 郭小勇;易治凯;汪涛;王永谦 申请(专利权)人: 江苏爱康能源研究院有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 江阴市扬子专利代理事务所(普通合伙) 32309 代理人: 隋玲玲
地址: 215600 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及的一种多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池结构,它包括N型晶体硅片,所述N型晶体硅片的正面和背面均设有多层非晶硅本征层,所述正背面的非晶硅本征层的外侧设有非晶硅掺杂层,所述非晶硅掺杂层外侧设有TCO导电膜,所述TCO导电膜的外侧均设有若干Ag电极,相邻两层非晶硅本征层之间均设有H等离子体处理层,最外层的非晶硅本征层和非晶硅掺杂层之间设有H等离子体处理层。本实用新型采用多步沉积非晶硅本征层,在完成每一步沉积后都加一步H等离子体处理,既可以增加薄膜中H原子含量,提高非晶硅本征层对晶硅表面的钝化效果,同时降低非晶硅本征层自身的缺陷态密度,提升太阳能电池的光电转换效率。
搜索关键词: 非晶硅本征层 多步沉积 掺杂层 非晶硅 异质结太阳能电池 本实用新型 导电膜 晶硅 光电转换效率 缺陷态密度 太阳能电池 钝化效果 晶硅表面 最外层 电极 沉积 多层 两层 薄膜 背面
【主权项】:
1.一种多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池结构,它包括N型晶体硅片(1),所述N型晶体硅片(1)的正面和背面均设有非晶硅本征层,所述正面的非晶硅本征层的外侧设有n型非晶硅掺杂层(6),所述背面的非晶硅本征层的外侧设有p型非晶硅掺杂层(7),所述n型非晶硅掺杂层(6)和p型非晶硅掺杂层(7)的外侧均设有TCO导电膜(8),所述TCO导电膜(8)的外侧均设有若干Ag电极(9),其特征在于:所述非晶硅本征层设有多层,相邻两层非晶硅本征层之间均设有H等离子体处理层,正面最外层的非晶硅本征层和n型非晶硅掺杂层(6)之间设有H等离子体处理层,背面最外层的非晶硅本征层和p型非晶硅掺杂层(7)之间设有H等离子体处理层。
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