[实用新型]多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池结构有效
申请号: | 201822090103.8 | 申请日: | 2018-12-13 |
公开(公告)号: | CN209087855U | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 郭小勇;易治凯;汪涛;王永谦 | 申请(专利权)人: | 江苏爱康能源研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 江阴市扬子专利代理事务所(普通合伙) 32309 | 代理人: | 隋玲玲 |
地址: | 215600 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及的一种多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池结构,它包括N型晶体硅片,所述N型晶体硅片的正面和背面均设有多层非晶硅本征层,所述正背面的非晶硅本征层的外侧设有非晶硅掺杂层,所述非晶硅掺杂层外侧设有TCO导电膜,所述TCO导电膜的外侧均设有若干Ag电极,相邻两层非晶硅本征层之间均设有H等离子体处理层,最外层的非晶硅本征层和非晶硅掺杂层之间设有H等离子体处理层。本实用新型采用多步沉积非晶硅本征层,在完成每一步沉积后都加一步H等离子体处理,既可以增加薄膜中H原子含量,提高非晶硅本征层对晶硅表面的钝化效果,同时降低非晶硅本征层自身的缺陷态密度,提升太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 非晶硅本征层 多步沉积 掺杂层 非晶硅 异质结太阳能电池 本实用新型 导电膜 晶硅 光电转换效率 缺陷态密度 太阳能电池 钝化效果 晶硅表面 最外层 电极 沉积 多层 两层 薄膜 背面 | ||
【主权项】:
1.一种多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池结构,它包括N型晶体硅片(1),所述N型晶体硅片(1)的正面和背面均设有非晶硅本征层,所述正面的非晶硅本征层的外侧设有n型非晶硅掺杂层(6),所述背面的非晶硅本征层的外侧设有p型非晶硅掺杂层(7),所述n型非晶硅掺杂层(6)和p型非晶硅掺杂层(7)的外侧均设有TCO导电膜(8),所述TCO导电膜(8)的外侧均设有若干Ag电极(9),其特征在于:所述非晶硅本征层设有多层,相邻两层非晶硅本征层之间均设有H等离子体处理层,正面最外层的非晶硅本征层和n型非晶硅掺杂层(6)之间设有H等离子体处理层,背面最外层的非晶硅本征层和p型非晶硅掺杂层(7)之间设有H等离子体处理层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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