[实用新型]多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池结构

权利要求书

1.一种多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池结构，它包括N型晶体硅片（1），所述N型晶体硅片（1）的正面和背面均设有非晶硅本征层，所述正面的非晶硅本征层的外侧设有n型非晶硅掺杂层（6），所述背面的非晶硅本征层的外侧设有p型非晶硅掺杂层（7），所述n型非晶硅掺杂层（6）和p型非晶硅掺杂层（7）的外侧均设有TCO导电膜（8），所述TCO导电膜（8）的外侧均设有若干Ag电极（9），其特征在于：所述非晶硅本征层设有多层，相邻两层非晶硅本征层之间均设有H等离子体处理层，正面最外层的非晶硅本征层和n型非晶硅掺杂层（6）之间设有H等离子体处理层，背面最外层的非晶硅本征层和p型非晶硅掺杂层（7）之间设有H等离子体处理层。

2.根据权利要求1所述的一种多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池结构，其特征在于：所述非晶硅本征层的总厚度为6~12nm，每层非晶硅本征层的厚度大于2nm。

3.根据权利要求1所述的一种多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池结构，其特征在于: 所述n型非晶硅掺杂层（6）的厚度为4~8nm，所述p型非晶硅掺杂层（7）的厚度为7~15nm。

4.根据权利要求1所述的一种多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池结构，其特征在于:所述TCO导电膜（8）厚度为70~110nm。