[实用新型]一种IGBT芯片的产品结构有效

专利信息
申请号: 201822065217.7 申请日: 2018-12-10
公开(公告)号: CN209804659U 公开(公告)日: 2019-12-17
发明(设计)人: 肖婷;史波;敖利波;曾丹;廖勇波 申请(专利权)人: 珠海格力电器股份有限公司
主分类号: H01L29/739 分类号: H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06
代理公司: 11522 北京煦润律师事务所 代理人: 朱清娟;梁永芳
地址: 519070 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种IGBT芯片的产品结构,包括:在所述IGBT芯片的正面发射极打线位置的下方,设置有打线区域(4),且所述打线区域(4)处未刻蚀沟槽(6)。本实用新型的方案,可以解决超薄trench FS‑IGBT芯片在封装打线过程中应力集中、芯片容易开裂的问题,实现减小应力和芯片不易开裂的有益效果。
搜索关键词: 本实用新型 打线区域 芯片 正面发射极 打线位置 刻蚀沟槽 应力集中 打线 减小 封装 产品结构
【主权项】:
1.一种IGBT芯片的产品结构,其特征在于,包括:/n在所述IGBT芯片的正面发射极打线位置的下方,设置有打线区域(4),且所述打线区域(4)处未刻蚀沟槽(6)。/n
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