[实用新型]一种IGBT芯片的产品结构

说明书

本实用新型公开了一种IGBT芯片的产品结构，包括：在所述IGBT芯片的正面发射极打线位置的下方，设置有打线区域（4），且所述打线区域（4）处未刻蚀沟槽（6）。本实用新型的方案，可以解决超薄trench FS‑IGBT芯片在封装打线过程中应力集中、芯片容易开裂的问题，实现减小应力和芯片不易开裂的有益效果。

技术领域

本实用新型属于半导体制造技术领域，具体涉及一种IGBT芯片的产品结构，尤其涉及一种高沟槽密度IGBT芯片结构。

背景技术

打线也叫Wire Bonding（压焊，也称为绑定、键合、丝焊）是指使用金属丝（金线、铝线等），利用热压或超声能源，完成微电子器件中固态电路内部互连接线的连接，即芯片与电路或引线框架之间的连接，常见于表面封装工艺。

采用绝缘栅双极性晶体管（IGBT）进行功率变换，能够提高用电效率和质量，具有高效节能和绿色环保的特点，是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术。随着IGBT芯片设计及制造技术的提高，其中trench FS-IGBT结构实际应用有效降低正向压降和开关损耗，使其在市场占比越来越多。但因其是超薄芯片，在封装时，芯片应力匹配问题和芯片开裂一直是攻克的难点，所以如何改善并解决trench FS-IGBT超薄芯片的封装打线问题，是整个芯片设计及封装领域的研究热点。

实用新型内容

本实用新型的第一目的在于，针对上述缺陷，提供一种IGBT芯片的产品结构，以解决现有技术中超薄trench FS-IGBT芯片在封装打线过程中应力集中的问题，达到减小应力的效果。

本实用新型的第二目的在于，针对上述缺陷，提供一种IGBT芯片的产品结构，以解决现有技术中超薄trench FS-IGBT芯片在封装打线过程中芯片容易开裂的问题，达到芯片不易开裂的效果。

本实用新型提供一种IGBT芯片的产品结构，包括：在所述IGBT芯片的正面发射极打线位置的下方，设置有打线区域，且所述打线区域处未刻蚀沟槽。

本实用新型的方案，通过从沟槽IGBT芯片设计上，将原来芯片打线下方的沟槽调整，正面发射极打线位置下方没有沟槽，可以超薄trench FS-IGBT芯片在封装打线过程中应力集中的问题，减小应力。

进一步，本实用新型的方案，通过仅从设计上改变IGBT结构，对工艺流程无影响，且不需要增加封装上面的额外投入，解决超薄trench FS-IGBT芯片在封装打线过程中芯片容易开裂的问题，使得芯片不易开裂，且成本低。

进一步，本实用新型的方案，通过在IGBT芯片的正面发射极打线位置下方没有沟槽，可以有效解决高沟槽密度、超薄IGBT芯片在实际封装中的打线问题；发射极打线分布在没有刻蚀沟槽的上方，封装打线时元胞区高沟槽密度的应力问题得到有效解决。

由此，本实用新型的方案，通过在沟槽IGBT芯片的设计上，将原来芯片打线下方的沟槽调整，正面发射极打线位置下方没有沟槽，解决现有技术中超薄trench FS-IGBT芯片在封装打线过程中应力集中、芯片容易开裂的问题，从而，克服现有技术中应力集中、芯片容易开裂和成品率低的缺陷，实现减小应力、芯片不容易开裂和成品率高的有益效果。

本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。

下面通过附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

图1为沟槽IGBT结构的剖面结构示意图；

图2为沟槽IGBT结构的俯视结构示意图；

图3为本实用新型的IGBT芯片的产品结构（如高沟槽密度IGBT芯片）的一实施例的剖面结构示意图；