[实用新型]具有双层布拉格反射层的深紫外LED外延结构及器件有效
| 申请号： | 201822033175.9 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN209183567U | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 杜士达;张骏;戴江南;陈长清 | 申请（专利权）人： | 湖北深紫科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 黄君军 |
| 地址： | 436000 湖北省鄂州市梧桐湖新区凤凰*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种具有双层布拉格反射层的深紫外LED外延结构及器件，包括衬底；位于所述衬底上的半导体外延层，包括AlN层、N型AlGaN层、n型布拉格反射层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、P型布拉格反射层、P型GaN接触层；n型布拉格反射层为AlxGa1‑xN层与GaN层交替层叠组成的周期结构；P型布拉格反射层为AlyGa1‑yN层与GaN层交替层叠组成的周期结构。本实用新型使用N型布拉格反射层的同时，使用P型布拉格反射层来代替传统的P型GaN层作为P型注入层，反射量子阱有源区向P型GaN方向的出射光，量子阱有源区发出的深紫外光从侧面出射，提高深紫外LED器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫外LED 布拉格反射层 量子阱有源区 本实用新型 交替层叠 外延结构 周期结构 衬底 半导体外延层 量子阱有源层 电流扩展层 电子阻挡层 发光效率 深紫外光 出射光 传统的 注入层 出射 反射 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种具有双层布拉格反射层的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构包括：衬底；位于所述衬底上的半导体外延层，包括在所述衬底上依次设置的AlN层、N型AlGaN层、N型布拉格反射层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、P型布拉格反射层、P型GaN接触层；所述N型布拉格反射层为AlxGa1‑xN层与GaN层交替层叠组成的周期结构；所述P型布拉格反射层为AlyGa1‑yN层与GaN层交替层叠组成的周期结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北深紫科技有限公司，未经湖北深紫科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201822033175.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种提高正向光的LED芯片
- 下一篇：一种红外发光源的电极结构
