[实用新型]像素结构和精细金属掩模板组有效
申请号: | 201822002987.7 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN208970513U | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 徐倩;吴建鹏;段芳芳;嵇凤丽 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;C23C14/24;C23C14/12;C23C14/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种像素结构和精细金属掩模板组。该像素结构包括至少一个像素组,在各像素组中,相邻的第一颜色发光层、第二颜色发光层和第三颜色发光层之间包括空隙,第一颜色发光层的形状包括第一圆角矩形,和位于第一圆角矩形的圆角处且向空隙凸出的第一凸起部,第一凸起部至少部分凸出于第一圆角矩形靠近第二颜色发光层的直边的延长线。由此,该像素结构可降低甚至避免发生混色、色偏等不良的风险,并提高良率。 | ||
搜索关键词: | 发光层 像素结构 圆角矩形 精细金属 凸起部 像素组 掩模板 凸出的 延长线 圆角处 混色 良率 色偏 直边 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,其特征在于,包括:至少一个像素组,各所述像素组包括:一个第一颜色发光层、两个第二颜色发光层和一个第三颜色发光层,所述第一颜色发光层和所述第三颜色发光层沿第一方向排列,两个所述第二颜色发光层沿第二方向排列,两个所述第二颜色发光层的中心的连线与所述第一颜色发光层和所述第三颜色发光层的中心的连线相交,其中,在各所述像素组中,相邻的所述第一颜色发光层、所述第二颜色发光层和所述第三颜色发光层之间包括空隙,所述第一颜色发光层的形状包括第一圆角矩形,和位于所述第一圆角矩形的圆角处且向所述空隙凸出的第一凸起部,所述第一凸起部至少部分凸出于所述第一圆角矩形靠近所述第二颜色发光层的直边的延长线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的