[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201821992853.8 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN209401631U | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 森川直树 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体装置，该半导体装置提高了可靠性。包括：沟道截断电极(129)，其配置在衬底的终端区(400)；第一电极(127)，其与第二半导体区(109)电连接；绝缘膜(115)，其配置在沟道截断电极(129)与第一电极(127)之间的终端区(400)上；多个第一导电体部(121)，它们配置在绝缘膜上；多个第二导电体部(125)，它们在第一导电体部(121)上从第一导电体部(121)分离而配置。第一电极(127)侧的第一导电体部(121)与第二导电体部(125)在高度方向上的重叠部分的宽度大于沟道截断电极侧的第一导电体部(121)与第二导电体部(125)在高度方向上的重叠部分的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 导电体 沟道截断电极 半导体装置 第一电极 配置 绝缘膜 终端区 本实用新型 半导体区 电连接 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括单元区和配置在所述单元区的周围的终端区，其特征在于，该半导体装置包括：衬底；第一导电型的第一半导体区，其配置在所述衬底的第一表面侧的所述单元区；第二导电型的第二半导体区，其配置在所述衬底的第一表面侧的所述单元区；沟道截断电极，其配置在所述衬底的第一表面侧的终端区；第一电极，其配置在所述衬底的第一表面上，且与所述第二半导体区电连接；绝缘膜，其配置在所述沟道截断电极与所述第一电极之间的所述衬底的终端区上；多个第一导电体部，它们配置在所述绝缘膜内部；多个第二导电体部，它们配置在所述绝缘膜上；以及第二电极，其配置在所述衬底的第二表面侧，所述第一电极侧的所述第一导电体部与所述第二导电体部在高度方向上的重叠部分的宽度大于所述沟道截断电极侧的所述第一导电体部与所述第二导电体部在高度方向上的重叠部分的宽度。
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