[实用新型]工艺腔室和半导体处理设备有效
| 申请号： | 201821854746.9 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN208848868U | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 董辉;翟晓烨 | 申请（专利权）人： | 东泰高科装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 102200 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。该腔室包括腔室本体、工艺载台、驱动所述工艺载台进入所述腔室本体内的驱动机构以及检测所述工艺载台是否到位的第一到位传感器，所述工艺腔室还包括测距仪，所述测距仪位于所述工艺载台前进方向的一侧，所述测距仪能够在预定条件下测量所述工艺载台与所述测距仪之间的距离，以确定所述工艺载台的工艺位置是否正确；所述预定条件包括所述第一到位传感器发出到位信号且所述驱动机构的脉冲计数满足预设脉冲计数。本实用新型的工艺腔室，同时设置有第一到位传感器和测距仪，可以有效确定工艺载台的工艺位置是否正确，提高工艺载台的工艺位置准确度，进而可以提高基片的加工良率。 | ||
| 搜索关键词： | 载台 测距仪 工艺腔室 到位传感器 工艺位置 半导体处理设备 本实用新型 驱动机构 预定条件 脉冲 腔室 到位信号 腔室本体 准确度 良率 预设 测量 体内 驱动 检测 加工 | ||
【主权项】：
1.一种工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体、工艺载台、驱动所述工艺载台进入所述腔室本体内的驱动机构以及检测所述工艺载台是否到位的第一到位传感器；所述工艺腔室还包括测距仪，所述测距仪位于所述工艺载台前进方向的一侧，所述测距仪能够在预定条件下测量所述工艺载台与所述测距仪之间的距离，以确定所述工艺载台的工艺位置是否正确；其中，所述预定条件包括所述第一到位传感器发出到位信号且所述驱动机构的脉冲计数满足预设脉冲计数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
