[实用新型]一种磁增强PECVD镀膜装置有效
申请号: | 201821816458.4 | 申请日: | 2018-11-06 |
公开(公告)号: | CN209292478U | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 王小军;董茂进;冯煜东;党文强;何丹;李中华 | 申请(专利权)人: | 无锡泓瑞航天科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/513 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 张洁;仇蕾安 |
地址: | 214000 江苏省无锡市无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型属于防护薄膜技术领域,涉及一种磁增强PECVD镀膜装置。所述装置包括真空室、镀膜辊组、等离子体电源和磁构件,镀膜辊组位于真空室中,基膜经过镀膜辊组时平行且相向的沿垂直于水平面方向卷绕,等离子体电源用于在镀膜辊组的空间区域内形成等离子体区;靠近基膜卷绕方向的两侧还水平对置的设置有一对磁构件,每个磁构件各自产生朝向对方侧膨胀且闭合的磁场,磁构件用于将等离子体约束在靠近基膜卷绕方向的区域内;真空室的顶部设有供气单元,真空室底部设有真空排气单元。采用所述装置镀膜时,一方面实现了有机过渡层和无机阻隔层的镀制,另一方面解决了镀膜造成的外观缺陷。同时保护辊轴不被镀上膜,非常适宜连续生产。 | ||
搜索关键词: | 磁构件 镀膜辊 真空室 等离子体电源 磁增强 基膜卷 镀膜 等离子体约束 真空排气单元 本实用新型 等离子体区 水平面方向 无机阻隔层 闭合 防护薄膜 供气单元 空间区域 水平对置 外观缺陷 过渡层 镀制 辊轴 基膜 卷绕 上膜 相向 磁场 平行 垂直 膨胀 | ||
【主权项】:
1.一种磁增强PECVD镀膜装置,一边在真空室内连续卷绕基膜,一边在该基膜表面形成阻隔膜,其特征在于:所述装置包括真空室、镀膜辊组、等离子体电源和磁构件,镀膜辊组位于真空室中,基膜经过镀膜辊组时平行且相向的沿垂直于水平面方向卷绕,等离子体电源包括一对极性交替反转且通有冷却水的电极,一对电极水平对置的设置在靠近基膜卷绕方向的两侧,等离子体电源用于在镀膜辊组的空间区域内形成等离子体区;靠近基膜卷绕方向的两侧还水平对置的设置有一对磁构件,每个磁构件各自产生朝向对方侧膨胀且闭合的磁场,磁构件用于将等离子体约束在靠近基膜卷绕方向的区域内;真空室的顶部设有供气单元,真空室底部设有真空排气单元。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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