[实用新型]一种磁增强PECVD镀膜装置有效

专利信息
申请号: 201821816458.4 申请日: 2018-11-06
公开(公告)号: CN209292478U 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 王小军;董茂进;冯煜东;党文强;何丹;李中华 申请(专利权)人: 无锡泓瑞航天科技有限公司
主分类号: C23C16/54 分类号: C23C16/54;C23C16/513
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 张洁;仇蕾安
地址: 214000 江苏省无锡市无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型属于防护薄膜技术领域,涉及一种磁增强PECVD镀膜装置。所述装置包括真空室、镀膜辊组、等离子体电源和磁构件,镀膜辊组位于真空室中,基膜经过镀膜辊组时平行且相向的沿垂直于水平面方向卷绕,等离子体电源用于在镀膜辊组的空间区域内形成等离子体区;靠近基膜卷绕方向的两侧还水平对置的设置有一对磁构件,每个磁构件各自产生朝向对方侧膨胀且闭合的磁场,磁构件用于将等离子体约束在靠近基膜卷绕方向的区域内;真空室的顶部设有供气单元,真空室底部设有真空排气单元。采用所述装置镀膜时,一方面实现了有机过渡层和无机阻隔层的镀制,另一方面解决了镀膜造成的外观缺陷。同时保护辊轴不被镀上膜,非常适宜连续生产。
搜索关键词: 磁构件 镀膜辊 真空室 等离子体电源 磁增强 基膜卷 镀膜 等离子体约束 真空排气单元 本实用新型 等离子体区 水平面方向 无机阻隔层 闭合 防护薄膜 供气单元 空间区域 水平对置 外观缺陷 过渡层 镀制 辊轴 基膜 卷绕 上膜 相向 磁场 平行 垂直 膨胀
【主权项】:
1.一种磁增强PECVD镀膜装置,一边在真空室内连续卷绕基膜,一边在该基膜表面形成阻隔膜,其特征在于:所述装置包括真空室、镀膜辊组、等离子体电源和磁构件,镀膜辊组位于真空室中,基膜经过镀膜辊组时平行且相向的沿垂直于水平面方向卷绕,等离子体电源包括一对极性交替反转且通有冷却水的电极,一对电极水平对置的设置在靠近基膜卷绕方向的两侧,等离子体电源用于在镀膜辊组的空间区域内形成等离子体区;靠近基膜卷绕方向的两侧还水平对置的设置有一对磁构件,每个磁构件各自产生朝向对方侧膨胀且闭合的磁场,磁构件用于将等离子体约束在靠近基膜卷绕方向的区域内;真空室的顶部设有供气单元,真空室底部设有真空排气单元。
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