[实用新型]半导体激光器封装硅基板芯片有效
| 申请号： | 201821692497.8 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN209046007U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 汪鹏;徐艳;徐建卫 | 申请（专利权）人： | 上海矽安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/024;G02B6/42 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 周高 |
| 地址： | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体激光器封装硅基板芯片及其制备方法。其中半导体激光器封装硅基板芯片包括硅基板衬底，绝缘层和金层；绝缘层设于硅基板衬底与金层之间；绝缘层由彼此连接的二氧化硅层和氮化硅层构成；二氧化硅层连接硅基板衬底；氮化硅层连接金层。本实用新型能够减少加工时间，降低设备成本，提高刻蚀精度，具有良好的热导率，有利于激光器芯片的散热。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基板 绝缘层 半导体激光器 衬底 金层 封装 本实用新型 二氧化硅层 氮化硅层 芯片 激光器芯片 彼此连接 降低设备 热导率 散热 刻蚀 制备 加工 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器封装硅基板芯片，包括硅基板衬底(1)，绝缘层(2)和金层(3)；所述绝缘层(2)设于硅基板衬底(1)与金层(3)之间；其特征在于：所述绝缘层(2)由彼此连接的二氧化硅层(21)和氮化硅层(22)构成；所述二氧化硅层(21)连接硅基板衬底(1)；所述氮化硅层(22)连接金层(3)。
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