[实用新型]一种生长碳化硅单晶的装置有效
| 申请号： | 201821676275.7 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN209144309U | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 高超;李加林;李宏刚 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 吴绍群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种生长碳化硅单晶的装置，属于碳化硅单晶的制备领域。本申请的生长碳化硅单晶的装置改变了传统的通过上保温孔散热制造轴向温度梯度的方法，改为使用不同壁厚的石墨坩埚及不同厚度的保温结构制造出轴向温度梯度，同时在改变石墨坩埚上侧的保温结构，从而制造出径向温度分布一致的热场，尤其可使得大尺寸石墨坩埚内部热场径向分布均匀。由于电活性杂质元素特别是氮元素随着温度梯度而生长进入晶体中，因此这种径向温度分布均匀的热场将引导电活性杂质元素特别是氮元素沿径向均匀分布，使用该装置制备得到径向电阻率一致的大尺寸高纯半绝缘碳化、单晶衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅单晶 热场 生长 轴向温度梯度 保温结构 石墨坩埚 杂质元素 氮元素 电活性 制造 径向均匀分布 温度分布均匀 大尺寸石墨 径向电阻率 径向分布 温度分布 温度梯度 装置制备 半绝缘 保温孔 传统的 散热 壁厚 衬底 单晶 高纯 碳化 坩埚 制备 申请 | ||
【主权项】：
1.一种生长碳化硅单晶的装置，包括石墨坩埚、加热单元、籽晶单元和保温结构，其特征在于，该保温结构包括保温结构顶部、保温结构侧部和保温结构底部，该石墨坩埚的内壁为大致圆柱状，该石墨坩埚的侧壁沿着石墨坩埚底部至开口方向线性加厚。
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