[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201821576533.4 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN209282209U | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 林信南;刘美华;刘岩军 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/328 |
| 代理公司： | 深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393 | 代理人： | 夏声平 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种半导体器件。其中，所述半导体器件包括半导体基板；钝化层，设置在半导体基板上；阳极，包括主体部和连接所述主体部的第一延伸部及第二延伸部，其中所述主体部设置在所述钝化层远离所述半导体基板的一侧，所述第一延伸部贯穿所述钝化层且部分伸入所述半导体基板、以及所述第一延伸部远离所述主体部的端部和所述半导体基板之间设置有介质层，所述第二延伸部贯穿所述钝化层且部分伸入所述半导体基板、以及所述第二延伸部远离所述主体部的端部与所述半导体基板形成肖特基接触；阴极，贯穿所述钝化层、且所述阴极的端面与所述半导体基板形成肖特基接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体基板 延伸部 钝化层 主体部 半导体器件 阴极 肖特基接触 伸入 贯穿 本实用新型 阳极 介质层 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；缓冲层，设置在所述衬底上；势垒层，设置在所述缓冲层远离所述衬底的一侧；钝化层，设置在所述势垒层远离所述缓冲层的一侧；第一阳极接触孔，贯穿所述钝化层且伸入所述势垒层但不贯穿所述势垒层；介质层，设置在所述钝化层远离所述势垒层的一侧以及所述第一阳极接触孔内；第二阳极接触孔，贯穿所述介质层、所述钝化层且伸入所述势垒层但不贯穿所述势垒层；阳极，包括第一金属层和第二金属层，其中所述第一金属层设置在所述介质层远离钝化层的一侧、以及延伸至所述第一阳极接触孔和所述第二阳极接触孔内以覆盖位于所述第一阳极接触孔底部的所述介质层和所述第二阳极接触孔底部，所述第二金属层设置在所述第一金属层上且填充所述第一阳极接触孔和所述第二阳极接触孔；阴极接触孔，贯穿所述介质层和所述钝化层；阴极，设置在所述介质层上以及填充所述阴极接触孔；场板，设置在所述介质层上、且位于所述阳极和所述阴极之间的区域内。
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