[实用新型]L型晶体管和半导体存储器有效
| 申请号： | 201821543542.3 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN208923148U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 赵亮 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种L型晶体管和半导体存储器，所述L型晶体管具有沿第二方向延伸的L型鳍片，第一源/漏区形成在所述L型鳍片的竖直鳍片部中，第二源/漏区形成在所述L型鳍片的水平直鳍片部中，栅极设置在所述水平直鳍片部上并沿所述第一方向延伸，由此使得所述第一源/漏区与第二源/漏区之间形成一个垂直L型沟道，可以增加有效沟道长度，克服短沟道效应，有利于实现更小的特征尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 源/漏区 晶体管 鳍片 半导体存储器 方向延伸 片部 直鳍 有效沟道长度 本实用新型 短沟道效应 竖直鳍片 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种L型晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有L型鳍片，所述L型鳍片包括沿第二方向延伸的水平鳍片部以及竖直设置在所述水平鳍片部的一端上的竖直鳍片部，且所述竖直鳍片部的底端部和所述水平鳍片部的一端连接，并且所述水平鳍片中形成有第二源/漏区，所述竖直鳍片部的顶端部中形成有第一源/漏区；以及，栅极，设置在所述水平鳍片部上并沿第一方向延伸。
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