[实用新型]浅沟槽隔离结构有效
| 申请号： | 201821538265.7 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN208706617U | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 陈龙阳;吴公一 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构包括衬底；氧化垫层，所述氧化垫层位于所述衬底上；沟槽，形成于所述氧化垫层及所述衬底中；以及隔离介质，包括填充于所述沟槽中的隔离填充部以及凸出于所述隔离填充部上的隔离凸起部，所述隔离凸起部的底部侧壁与所述氧化垫层紧密相接。在浅沟槽隔离结构的制作方法中，本实用新型在氧化垫层上加入牺牲介质层，降低隔离凸起部与临近介质层接触面的应力，同时，本实用新型不采用传统的酸式湿法刻蚀工艺，而采用干法刻蚀工艺形成浅沟槽隔离结构的隔离凸起部，以避免在酸式湿法刻蚀过程中造成的浅沟槽隔离结构轮廓损伤的问题，从而提高器件性能及良率。 | ||
| 搜索关键词： | 浅沟槽隔离结构 氧化垫层 隔离 凸起部 本实用新型 衬底 填充 湿法刻蚀 干法刻蚀工艺 牺牲介质层 底部侧壁 隔离介质 紧密相接 器件性能 传统的 介质层 良率 损伤 制作 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底表面具有氧化垫层；沟槽，形成于所述氧化垫层及所述衬底中；以及隔离介质，包括填充于所述沟槽中的隔离填充部以及凸出于所述隔离填充部上的隔离凸起部，所述隔离凸起部的底部侧壁与所述氧化垫层紧密相接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
