[实用新型]IGBT模拟器件、电平模拟电路及三电平仿真平台有效
| 申请号： | 201821484599.0 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN208971412U | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 曾赣生;陈小佳;颜璞 | 申请（专利权）人： | 深圳市德利和能源技术有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/483 | 分类号： | H02M7/483 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种IGBT模拟器件、电平模拟电路及三电平仿真平台，所述IGBT模拟器件包括光耦器件和第一二极管，所述光耦器件的发光二极管的阳极为IGBT的栅极，所述光耦器件的发光二极管的阴极用于接地。所述光耦器件的集电极与所述第一二极管的阴极连接，且连接节点构成IGBT的漏极；所述光耦器件的发射极与所述第一二极管的阳极连接，且连接节点构成所述IGBT的源极。本实用新型能够解决IGBT用于初期算法调试平台造价较贵的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 光耦器件 二极管 模拟器件 阴极 本实用新型 发光二极管 仿真平台 连接节点 模拟电路 三电平 调试平台 阳极连接 接地 发射极 集电极 漏极 算法 源极 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT模拟器件，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管模拟器件包括光耦器件和第一二极管；所述光耦器件的发光二极管的阳极为IGBT的栅极，所述光耦器件的发光二极管的阴极用于接地；所述光耦器件的集电极与所述第一二极管的阴极连接，且连接节点构成IGBT的漏极；所述光耦器件的发射极与所述第一二极管的阳极连接，且连接节点构成所述IGBT的源极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市德利和能源技术有限公司，未经深圳市德利和能源技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821484599.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种整流电路
- 下一篇：一种基于压电元件的双向振动能量收集系统
