[实用新型]一种低损耗微带线结构有效
| 申请号： | 201821448346.8 | 申请日： | 2018-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN209119290U | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 邢孟江;杨晓东;代传相;刘永红;刘赣 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | H01P3/08 | 分类号： | H01P3/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种低损耗微带线结构，属于电子技术领域。本实用新型包括一层微带线金属层、一层金属粘附层、一层衬底基板和一层金属接地层；金属接地层电镀在衬底基板下表面；金属粘附层通过半导体薄膜工艺制备在衬底基板上；微带线金属层通过半导体薄膜工艺制备在部分衬底基板上及整个金属粘附层上；其中，金属粘附层的沉积面积小于微带线金属层的面积。本实用新型具有低损耗、结构简单、附着性能稳定、易于集成、性价比高、温度特性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 金属粘附层 衬底基板 本实用新型 低损耗 金属层 微带线 半导体薄膜 金属接地层 微带线结构 工艺制备 电子技术领域 附着性能 温度特性 下表面 电镀 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种低损耗微带线结构，其特征在于：包括一层微带线金属层（4）、一层金属粘附层（3）、一层衬底基板（2）和一层金属接地层（1）；金属接地层（1）电镀在衬底基板（2）下表面；金属粘附层（3）通过半导体薄膜工艺制备在衬底基板（2）上；微带线金属层（4）通过半导体薄膜工艺制备在部分衬底基板（2）上及整个金属粘附层（3）上；其中，金属粘附层（3）的沉积面积小于微带线金属层（4）的面积。
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