[实用新型]一种低损耗微带线结构有效
| 申请号： | 201821448346.8 | 申请日： | 2018-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN209119290U | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 邢孟江;杨晓东;代传相;刘永红;刘赣 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | H01P3/08 | 分类号： | H01P3/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属粘附层 衬底基板 本实用新型 低损耗 金属层 微带线 半导体薄膜 金属接地层 微带线结构 工艺制备 电子技术领域 附着性能 温度特性 下表面 电镀 沉积 | ||
【权利要求书】：
1.一种低损耗微带线结构，其特征在于：包括一层微带线金属层（4）、一层金属粘附层（3）、一层衬底基板（2）和一层金属接地层（1）；金属接地层（1）电镀在衬底基板（2）下表面；金属粘附层（3）通过半导体薄膜工艺制备在衬底基板（2）上；微带线金属层（4）通过半导体薄膜工艺制备在部分衬底基板（2）上及整个金属粘附层（3）上；其中，金属粘附层（3）的沉积面积小于微带线金属层（4）的面积。
2.根据权利要求1所述的低损耗微带线结构，其特征在于：所述半导体薄膜工艺包括光刻、显影、金属沉积、等离子刻蚀工艺。
3.根据权利要求1所述的低损耗微带线结构，其特征在于：所述衬底基板（2）采用绝缘介质基板，其中绝缘介质采用氧化铝、氮化铝、硅衬底或氮化镓。
4.根据权利要求1所述的低损耗微带线结构，其特征在于：所述金属粘附层（3）厚度为50-120nm；所述金属粘附层（3）连续分布或不连续分布。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学，未经昆明理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821448346.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：新型同轴负载
- 下一篇：一种新型的射频耦合器及装置
