[实用新型]集成电阻区的VDMOS器件

摘要

本实用新型涉及一种集成电阻区的VDMOS器件，其在元胞沟槽之间设置第一导电类型欧姆接触区以及第一导电类型体区，在栅介质层内注入电荷，在VDMOS正向导通状态下，栅介质层与第一导电类型体区形成积累层，元胞沟槽沟槽之间不存在第二导电类体区，导通电阻将大幅降低。在体二极管导通状态下，在注入少量的少子电荷后，第一导电类型欧姆接触区以及第一导电类型体区即可导通，从而降低体二极管的正向导通压降，此时导电机制以单极型为主，第一导电类型漂移区中少数载流子浓度较低，极大地提高了体二极管的反向恢复特性。在VDMOS阻断状态下，栅介质层中的电荷能形成耗尽区，与现有的VDMOS结构相比，其耐压不变。

主权项

1.一种集成电阻区的VDMOS器件，包括半导体基板以及位于所述半导体基板中心的元胞区，所述半导体基板包括第一导电类型漂移区以及位于所述第一导电类型漂移区上部的第二导电类型体区；在所述VDMOS器件的截面上，元胞区包括若干元胞，所述元胞包括两相邻的元胞沟槽，元胞沟槽位于第二导电类型体区内且元胞沟槽的槽底伸入所述第二导电类型体区下方的第一导电类型漂移区内；在元胞沟槽的内壁设置栅介质层，在设置栅介质层的元胞沟槽内填充栅极导电多晶硅；其特征是：在所述元胞沟槽之间设置第一导电类型欧姆接触区，所述第一导电类型欧姆接触区与元胞沟槽的外壁均接触，所述第一导电类型欧姆接触区与第一导电类型漂移区上方的源极金属层欧姆接触，所述源极金属层通过元胞沟槽槽口的绝缘介质层与栅极导电多晶硅绝缘隔离；在所述栅介质层内注入有电荷。