[实用新型]一种晶圆烘烤装置有效
| 申请号： | 201821309428.4 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN208444816U | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰滨;刘兵 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体生产领域，公开了一种晶圆烘烤装置，包括：加热腔室，用于容纳晶圆；加热盘，设置于所述加热腔室的底部，用于加热所述晶圆；封盖，设置于所述加热腔室的顶部，用于封闭所述加热腔室；排气管，连接于所述封盖并与所述加热腔室连通；超声波振荡器，包括设置于所述封盖内侧的多个超声波发生器和多个换能器，所述超声波发生器驱动所述换能器而产生振荡气体。该晶圆烘烤装置通过设置超声波振荡器以产生振荡气体，使得附着在加热腔室上的所有粉末被完全地振落，然后通过排气管将振落的粉末从加热腔室中排出，从而避免了粉末造成晶圆蚀刻的图案异常的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 加热腔室 晶圆 烘烤装置 封盖 超声波发生器 超声波振荡器 产生振荡 换能器 排气管 种晶 蚀刻 本实用新型 加热盘 附着 加热 半导体 连通 容纳 图案 驱动 封闭 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆烘烤装置，其特征在于，包括：加热腔室，用于容纳晶圆；加热盘，设置于所述加热腔室的底部，用于加热所述晶圆；封盖，设置于所述加热腔室的顶部，用于封闭所述加热腔室；排气管，连接于所述封盖并与所述加热腔室连通；超声波振荡器，包括设置于所述封盖内侧的多个超声波发生器和多个换能器，所述超声波发生器驱动所述换能器而产生振荡气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821309428.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体处理设备
- 下一篇：一种可调式太阳能硅片存储设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
